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陈嘉民

中国科学院电子学研究所

研究员

专业能力信息

职称研究员

研究领域 1）磁敏传感器 2）自旋电子新材料与传感器件 3）新型磁性隧道结和隧穿磁电阻（TMR）效应及磁随机存储器（MRAM）器件 4）电流垂直平面型巨磁阻自旋阀器件（CPP-GMR） 5）高自旋极化率半金属赫斯勒合金 6）纳米磁性薄膜 7）器件材料微观表征 8）高密度垂直磁记录介质材料

专利论文 以“第一发明人”身份获授权美国、日本专利多项。

2018-01~2018-05,日本国立物质材料研究所, 博士后研究员 2017-04~2017-12,日本学术振兴会(JSPS), 特别研究员 2012-09~2017-03,日本国立物质材料研究所, 青年研究员

2014-10--2017-12 日本筑波大学博士 2012-09--2014-07 日本筑波大学硕士 2008-09--2012-06 华中科技大学学士

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