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屠海令

北京有色金属研究总院

名誉院长

专业能力信息

职称 院士
研究领域 长期从事硅、化合物半导体及稀土半导体材料研究。研究领域包括半导体单晶生长中的传质、传热过程,硅外延生长动力学,半导体材料表面物理化学,砷化镓晶体生长新技术,三元系化合物半导体晶格动力学,稀土半导体材料结构相变,硅基半导体材料的制备技术,半导体材料中缺陷与杂质互作用及缺陷工程,半导体材料检测技术等。
专利论文 授权专利44项。发表论文280多篇,出版著作9部。

工作经历

1970年08月至1971年08月,天津第三半导体器件厂试制组技术员。 1971年08月至1978年09月,天津半导体技术研究所组长、室主任。 1984年03月至1996年07月,北京有色金属研究总院组长、室主任、副院长。 1996年07月至2009年04月,北京有色金属研究总院院长。 1999年02月至2009年05月,有研半导体材料股份有限公司董事长。 2006年04月起,担任北京有色金属研究总院科技委员会主任。 2007年12月,当选中国工程院院士。 2009年05月至今,担任北京有色金属研究总院名誉院长; 2010年06月至今,担任中国工程院化工、冶金与材料工程学部副主任。 2014年4月,中国煤炭科工集团有限公司外部董事,聘期二年 现任北京有色金属研究总院名誉院长,有研科技集团有限公司科技委主任。

教育经历

1964年09月至1969年08月,天津大学精仪系自动化专业学习; 1978年09月至1979年12月,北京有色金属研究总院半导体材料专业攻读研究生。 1979年12月至1983年12月,英国巴斯大学半导体材料物理专业攻读博士学位。 1994年11月-1995年7月美国北卡罗莱纳州立大学高级访问学者。
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