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周圣明

中国科学院

研究员

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职称研究员

研究领域 过强光电吸收条件下晶体动力学衍射、氧化物巨磁电阻材料结构畸变与输运特性、同步辐射晶体X射线共振散射及晶体缺陷形貌、稀磁半导体、荧光定量分析等

专利论文 在强激光材料、半导体薄膜及晶体材料方向获国家授权发明专利20多项，其中： 1.一种用于白光LED荧光转换的复合相透明陶瓷及其制备方法公开(公告)号: CN104609848B , 公开(公告)日:2017-09-12 申请号: CN201510067861.6 ; 申请日: 2015-02-10 发明人：周圣明,唐燕如,易学专,张帅,陈冲,丰岳,林辉 2.Si/Ti掺杂的铽铝石榴石法拉第磁旋光透明陶瓷及其制备方法公开(公告)号: CN104609849B; 公开(公告)日: 2016-12-07 申请号: CN201510067865.4 ; 申请日: 2015-02-10 发明人：周圣明、陈冲、丰岳、易学专、张帅、唐燕如 3.法拉第磁旋光透明陶瓷及其制备方法公开(公告)号 CN102093054B 公开(公告)日 2014-04-09 申请号 CN201010568755.3 申请日 2010-12-01 发明人：林辉；周圣明；滕浩 4.感应加热法烧结透明陶瓷的装置公开(公告)号 CN101551194B 公开(公告)日 2010-12-29 申请号 CN200910049925.4 申请日 2009-04-24 发明人: 周圣明；林辉 5.一种用于白光LED荧光转换的复合相透明陶瓷及其制备方法申请号：201510067861.6 发明人：周圣明、唐燕如、易学专、张帅、陈冲、丰岳、林辉 6.GaInN白光LED用复合结构荧光陶瓷及其制备方法公开(公告)号 CN102249660B 公开(公告)日 2013-05-08 申请号 CN201110102733.2 申请日 2011-04-22 发明人：周圣明;林辉;滕浩 7.铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法公开(公告)号 CN100373548C 公开(公告)日 2008-03-05 申请号 CN200610027647.9 申请日 2006-06-13 发明人周圣明黄涛华邹军李抒智周健华王军 8.一种非极性GaN薄膜的生长方法公开(公告)号 CN101358337B 公开(公告)日 2010-08-04 申请号 CN200810200459.0 申请日 2008-09-25 发明人周健华郝茂盛颜建锋潘尧波周圣明 9.一种非极性GaN薄膜的生长方法公开(公告)号 CN101364631B 公开(公告)日 2011-09-14 申请号 CN200810200458.6 申请日 2008-09-25 发明人周健华郝茂盛颜建锋潘尧波周圣明 10.柠檬酸燃烧法直接合成Y2O3纳米材料的方法公开(公告)号 CN1285511C 公开(公告)日 2006-11-22 申请号 CN200510025555.2 申请日 2005-04-29 发明人夏国栋周圣明徐军张俊计 11.掺钛蓝宝石激光晶体的生长方法公开(公告)号 CN1249273C 公开(公告)日 2006-04-05 申请号 CN03141525.3 申请日 2003-07-11 发明人周圣明司继良徐军李红军王静雅周国清赵广军赵志伟 12.基于透明荧光陶瓷的LED灯申请号： 201410161313.5 发明人：周圣明林辉陈冲易学专丰岳 13.透明陶瓷及其制备方法申请号：200910056445.0 发明人：林辉；周圣明 14.掺锆氧化钇基透明陶瓷及其制备方法申请号：200910055338.6 发明人: 侯肖瑞；周圣明；李文杰；林辉；滕浩 15.镧锆共掺稀土倍半氧化物透明陶瓷及其制备方法申请号：201010605731.0 发明人：易庆；周圣明；林辉；侯肖瑞；滕浩 16.石榴石型黄光荧光材料Y3Al5O12:Ce,Li的制备方法申请号: 200510029377.0 发明人：周圣明;夏国栋;徐军;张俊计 17.柠檬酸燃烧法直接合成Y2O3纳米材料的方法发明人：夏国栋;周圣明;徐军;张俊计授权号：ZL 200510025555.2 18.掺铈铽钇石榴石透明陶瓷荧光材料及其制备方法申请号：201110032077.3 发明人：林辉；周圣明；滕浩 19.高亮度白光LED用透明陶瓷及其制备方法申请号：201110002463.8 发明人：滕浩；周圣明；林辉；易庆 20.用于钇铝石榴石基荧光透明陶瓷的新型烧结助剂申请号：201110032078.8 发明人：周圣明；林辉；滕浩 21.掺锰铝酸锂晶体的生长方法发明人：滕浩;周圣明;林辉;王军授权号：ZL 200810201202.7 22.金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法发明人：林辉;周圣明;顾书林;张荣;杨卫桥授权号：ZL 200710040427.4 23.铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法发明人：周圣明;黄涛华;邹军;李抒智;周健华;王军授权号：ZL 200610027647.9 24.一种非极性GaN薄膜的生长方法发明人：周健华;郝茂盛;颜建锋;潘尧波;周圣明授权号：ZL 200810200459.0

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